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微系统与混合集成技术 | 第十六届电子年会专题论坛日程抢先看 时间:2022-08-03 来源:中国电子学会
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由中国电子学会主办的第十六届中国电子信息年会(CEIC),将于2022年813-16在广州市黄埔区开芯国际大酒店举行。


“微系统与混合集成技术” 专题论坛由彭练矛院士担任主席,鲁加国研究员、邓少芝教授为共同主席,段宗明博士、佘峻聪教授担任召集人,邀请彭练矛院士、赵正平研究员、鲁加国研究员、杨银堂教授、张卫教授、邓少芝教授等领军专家学者,研讨微系统领域的新器件新结构、异质异构集成、chiplet三维集成以及前沿性微系统技术等的最新研究进展。诚挚邀请相关领域专家学者共同交流。

 

—————专题论坛议程—————

 

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—————论坛主席—————


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彭练矛 中国科学院院士,北京大学电子学院院长 


个人简介:北京大学教授。1982年毕业于北京大学无线电电子学系。1983年通过李政道先生主持的CUSPEA计划赴美, 于亚利桑那州立大学美国高分辨电子显微学中心师从J.M. Cowley教授, 1988年获博士学位。1989年至英国牛津大学, 任M.J. Whelan 教授的研究助手。1990年被选为牛津大学Glasstone Fellow,国际电子显微学会联合会Presidential Scholar。1994年底回国,获首届国家杰出青年科学基金资助。1999年被北京大学聘为教育部首批“长江学者奖励计划”特聘教授。2019年当选中国科学院院士。主要研究领域为纳米结构、物性和相关器件。四次担任国家973计划和重点研发计划项目首席科学家,发表论文400余篇,被引21000余次,相关工作分获2010年度和2016年度国家自然科学二等奖;2000年度和2017年度“中国高等学校十大科技进展”;2000年度“中国基础科学研究十大新闻”和2011年度“中国科学十大进展”;全国科技创中心2018 年度重大标志性原创成果。

 

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 鲁加国 研究员,历任中国电科38所副所长、中国电科43所所长


个人简介:中国电子科技集团公司第38所研究员,国家863计划专家,总装特邀专家,入选国防“511人才工程”,是IEEE高级会员,中国电子学会高级会员、中国电子学会雷达分会和微波分会委员,享有安徽省政府特殊津贴专家。历任中国电科38所副所长、中国电科43所所长。长期从事微波成像雷达理论与工程研究,在空间成像雷达方面,做出重要贡献,获国家科技进步二等奖1项,国防科技进步特等奖1项、一等奖3项、二等奖3项,国防科技发明二等奖1项,安徽省科技进步一等奖2项等。出版中英文专著3部,获授权发明专利31项(其中美日各1项),发表学术论文106篇。


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 邓少芝 教授,中山大学电子与信息工程学院院长、微电子学院院长


个人简介:中山大学教授、博导,国家杰出青年科学基金获得者。现任中山大学电子与信息工程学院院长、微电子学院院长、光电材料与技术国家重点实验室副主任,兼任国际真空纳电子学大会执行理事会执委和秘书、中国真空学会理事会党委书记和副理事长、中国真空学会电子材料与器件专业委员会主任。从事微纳结构电子光子研究,重点研究“太赫兹至中远红外”、“深紫外至X射线”两个谱段中的信号产生与探测的核心元器件,在冷阴极材料与器件技术、高频电磁波辐射产生新方法、太赫兹波探测新材料新器件原理等方面做出系统性、创造性贡献。曾任国家纳米重大科学研究计划项目首席科学家,现为国家重点研发计划纳米科技专项项目负责人。获国家自然科学二等奖,获中国青年科技奖。

 

—————论坛召集人—————



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 段宗明 高工,中国电子科技集团公司第三十八研究所微系统技术研究部副主任


个人简介:博士,高级工程师,IEEE高级会员,中国电子科技集团公司第三十八研究所微系统技术研究部副主任,研究方向为射频毫米波电路与系统、硅基片上雷达等。主持或参与完成国家级和省部级科研项目10多项,研发出10余款硅基射频与毫米波芯片,应用于多个国家重大装备,量产超过100万颗。以第一完成人获得省部级技术发明一等奖、二等奖各1次,获得省部级科技成果三等奖2次,获得授权发明专利10余项。在包括芯片领域顶级会议ISSCC、顶级期刊T-CAS1在内的国际会议和期刊发表论文30余篇,长期担任国际一流期刊IEEE T-MTT、T-CAS2、T-VLSI等审稿人。

 

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 佘峻聪 教授,中山大学电子与信息工程学院副院长


个人简介:博士(凝聚态物理学),教授。中山大学电子与信息工程学院副院长。国家重点研发计划纳米专项项目负责人,国家基金委优秀青年基金获得者,教育部新世纪优秀人才支持计划入选者,全国优秀博士学位论文奖获得者,广东省“珠江学者”特聘教授(微电子学科)。研究兴趣包括微纳加工技术与工艺,微纳加工装备及部件,微纳电子材料与器件物理。在面向高通量并行电子束加工及检测装备的核心部件研制,电子束光刻和电子束分析工艺上取得创新成果。相关工作发表SCI/EI论文210篇(SCI他引2013次);获授权中国发明专利29项(8项为第一发明人)。作为主要完成人分别于2001和2007年两次获得国家自然科学奖二等奖(排名第四和第五)。


—————报告嘉宾—————

 

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姓名:彭练矛

职务:中国科学院院士,北京大学电子学院院长 

个人简介

北京大学教授。1982年毕业于北京大学无线电电子学系。1983年通过李政道先生主持的CUSPEA计划赴美, 于亚利桑那州立大学美国高分辨电子显微学中心师从J.M. Cowley教授, 1988年获博士学位。1989年至英国牛津大学, 任M.J. Whelan 教授的研究助手。1990年被选为牛津大学Glasstone Fellow,国际电子显微学会联合会Presidential Scholar。1994年底回国,获首届国家杰出青年科学基金资助。1999年被北京大学聘为教育部首批“长江学者奖励计划”特聘教授。2019年当选中国科学院院士。主要研究领域为纳米结构、物性和相关器件。四次担任国家973计划和重点研发计划项目首席科学家,发表论文400余篇,被引21000余次,相关工作分获2010年度和2016年度国家自然科学二等奖;2000年度和2017年度“中国高等学校十大科技进展”;2000年度“中国基础科学研究十大新闻”和2011年度“中国科学十大进展”;全国科技创中心2018 年度重大标志性原创成果。


报告题目:面向5G和6G时代的碳纳米管毫米波和太赫兹器件

议题简介

随着硅基微电子器件尺度进入深亚微米后,后摩尔时代非硅电子学的发展备受瞩目。国际半导体技术路线图(ITRS)委员会2005年明确指出硅基CMOS技术将在2020年左右达到其性能的绝对极限。在可能的下一代技术中,ITRS委员会基于其新材料和新器件工作组的系统研究和推荐,2009年明确向半导体行业推荐碳基电子学,作为可能在未来10-15年显现商业价值的下一代电子技术,并给出了详尽的路线图和碳纳米管挑战。面向后摩尔时代,北京大学于1999年组建了碳基纳电子材料与器件研究团队。经过近二十年的努力,该团队在碳基电子器件相关材料和制备工艺的研究中取得系列突破,逐一解决了ITRS所给出的挑战,并由此发展出了一整套无掺杂碳管CMOS集成电路制备新技术,成为下一代信息处理技术强有力的竞争者,特别是发展了可满足规模集成电路用的超纯、高密度碳纳米管阵列,并在这个基础上演示了碳纳米管晶体管在太赫兹频段的速度优势。


 

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姓名:赵正平

职务:中国半导体行业协会专家组的副组长,专用集成电路重点实验室学术委员会副主任 

个人简介

研究员,1970.3 毕业于清华大学无线电电子学系,分配到河北省井陉县电讯器材厂工作,历任二极管筹备组组长、二极管车间主任和厂技术员。1979.3-1982.12 南京工学院电子工程系半导体物理与器件专业硕士研究生。1982.12-2002.5在电子第十三研究所工作期间,历任课题组长、研究室主任、主管科研的副所长和所长。2001.9-2008.5参于组建中国电子科技集团公司,历任党组成员兼总经理助理和党组成员兼副总经理,集团科技委副主任,2013.4-2018.3任中国航空工业集团公司外部董事。2004-2008年曾任“宽禁带半导体材料与器件基础研究”973项目的首席专家,2008-2012年曾任“SiC微波功率器件和GaN MMIC ”科技专项的项目的总设计师。2012年-2020年曾任“下一代GaN毫米波与高速集成电路”的973项目的首席专家,河北工业大学微电子专业博导,2017年-2021年曾任军委科技委电子领域专家组顾问。目前任中国半导体行业协会专家组的副组长,专用集成电路重点实验室学术委员会副主任。


报告题目:Chiplet基三维集成技术与集成微系统的新进展

议题简介

当集成电路技术开始进入“后摩尔时代”,三类新的技术创新应运而生,继续推动集成电路新发展。其一是具有13.6nm波长的EUV光刻技术提高了图形化的精度并减少掩膜版的数量,使集成电路跨过10nm节点,直接进入7nm,以及5nm、3nm及埃米时代。其二是所谓的SoC分区和“chiplet”(小芯片)基3D集成技术。该三维系统集成技术平台具有很高的互连密度高,带宽高,能源效率高,形成了提高成品率和降低成本的新范式,并可能成为摩尔定律2.0版的发展基础。其三是是通过在CPU旁边添加特定的神经网络算法的加速器芯片来提高系统的计算性能,即神经网络芯片,可使芯片的计算能力维持2.5×/年等效GigaOPS/W。本报告重点介绍chiplet基3D集成技术和集成微系统的新进展,包含chiplet基3D集成技术、chiplet之间的宽带互连、布局布线与时序收敛、chiplet基微系统热管理、CAD设计与chiplet基集成微系统等关健技术的突破。


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姓名:鲁加国

职务:历任中国电科38所副所长、中国电科43所所长 

个人简介

中国电子科技集团公司第38所研究员,国家863计划专家,总装特邀专家,入选国防“511人才工程”,是IEEE高级会员,中国电子学会高级会员、中国电子学会雷达分会和微波分会委员,享有安徽省政府特殊津贴专家。历任中国电科38所副所长、中国电科43所所长。长期从事微波成像雷达理论与工程研究,在空间成像雷达方面,做出重要贡献,获国家科技进步二等奖1项,国防科技进步特等奖1项、一等奖3项、二等奖3项,国防科技发明二等奖1项,安徽省科技进步一等奖2项等。出版中英文专著3部,获授权发明专利31项(其中美日各1项),发表学术论文106篇。


报告题目:天线阵列微系统中的多物理场问题

议题简介

发展空天信息是国家安全的信息保障,也是落实“军民深度融合”战略的有力举措。高分辨率对地微波成像雷达是空天信息系统的重要组成部分。本报告围绕高分辨率对地微波成像雷达对天线高效率、低剖面和轻量化的迫切需求,探讨了有源阵列天线的现状、性能瓶颈和发展趋势,提出了天线阵列微系统中值得研究的科技和工程问题,重点分析了跨尺度天线阵列微系统的中的光、电磁、热、力等多物理场的相互耦合问题,以及天线阵列微系统在多物理场相互耦合作用下的电磁兼容问题、热/电/力学可靠性问题,围绕天线阵列高效能和高可靠性设计目标,介绍了多物理场耦合及其受控理论、跨尺度系统多物理场的建模技术、多物理场一体化协同仿真技术、多物理场匹配混合集成技术,并对天线阵列微系统在下一代对地微波成像雷达中的应用进行了展望。


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姓名:杨银堂

职务:西安电子科技大学副校长

个人简介

教授。1984年至今在西安电子科技大学从事微电子学与集成电路技术领域科研教学工作。先后主持完成国家科技重大专项、国家自然科学基金重大/重点项目、国家863计划、国防科技预先研究等科研项目30余项。在高效模数转换器集成电路设计与应用、混合信号系统芯片低功耗设计、三维集成技术等方面取得了系列创新成果,研制的高效数据转换器电路、高分辨率CCD相机信号处理电路等达到国际先进水平。发表学术论文300余篇,出版学术专著6部,授权发明专利78项,以第一完成人获国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖。获得国家杰出青年基金、中国青年科技奖、全国模范教师,入选国家百千万人才工程一二层次。


报告题目:高效模数转换器集成电路设计与应用

议题简介

模数转换器是集成电路设计的关键技术。报告研究分析了模数转换器集成电路的发展现状和存在问题,介绍了在高效模数转换器架构、关键电路、误差校准、低功耗等方面的研究成果。提出了流水线-逐次逼近混合型和可配置型模数转换器新型系统架构,实现了速度-精度-功耗的协同优化,解决了电路速度、转换精度和电路功耗难以兼顾的难题。设计了阵列采样、相关双采样-可变增益一体化等关键电路,有效提高了模拟采样精度。采用伪随机码注入等数字后台校准技术显著降低了工艺误差、时钟偏差和寄生效应引起的精度损失。基于国内工艺,设计完成了高速、高性能、低功耗、可配置等系列模数转换器集成电路/IP核。


针对工程需求,设计研制了CCD相机电子学集成处理系统芯片。突破了低噪声、高精度、低功耗等关键技术难题,采用完全正向设计,研制了具有自主知识产权的高集成度CCD相机电子学集成处理电路,主要指标达到国际先进水平,实现了自主可控。


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姓名:张卫

职务:复旦大学微电子学院院长 

个人简介

复旦大学微电子学院院长,教授(博士生导师),复旦大学校学术委员会副主任,复旦大学校务委员会委员。张卫教授是国务院特殊津贴获得者、教育部长江特聘教授、国家重大科技专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”总体专家组技术副总师、长三角集成电路设计与制造协同创新中心常务副主任。张卫教授目前还是工信部通信科学技术委员会委员,教育部科技委委员。长期从事集成电路工艺、半导体新器件和半导体材料的研究。已在Science, Nature Nanotechnology, Nature Materials, IEEE Electron Device Letters,IEEE Tran.on Electron Devices等国际学术期刊和会议上发表论文300多篇,申请发明专利200多项。


报告题目:堆叠环栅器件与工艺集成

议题简介

堆叠环栅器件(GAA)是鳍型晶体管(FinFET)技术的自然演进,3nm及更先进工艺节点将采用纳米环栅器件(GAA)。与鳍型晶体管(FinFET)相比,环栅器件在漏电流控制、改善短沟效应等电学性能上具有更大的优势。同时,环栅器件(GAA)在结构尺寸方面提供了一些灵活性,可为设计人员优化电路需求提供更大的灵活性。报告详述了实现堆叠GAA器件的工艺和集成技术,分析了内侧墙工艺的优化对驱动电流和寄生电容的影响。指出开发新的源漏和底部寄生晶体管隔离工艺,可以抑制寄生晶体管的电流输出;由于寄生电阻和电容的影响,堆叠环栅晶体管的性能并不随堆叠层数的增加而提升。报告提出了一种实现对环栅器件纳米片沟道应力的无损测量技术,避免了传统测量方法的局域性和对结构的破坏。

 

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姓名:邓少芝

职务: 中山大学电子与信息工程学院院长、微电子学院院长 

个人简介

中山大学教授、博导,国家杰出青年科学基金获得者。现任中山大学电子与信息工程学院院长、微电子学院院长、光电材料与技术国家重点实验室副主任,兼任国际真空纳电子学大会执行理事会执委和秘书、中国真空学会理事会党委书记和副理事长、中国真空学会电子材料与器件专业委员会主任。从事微纳结构电子光子研究,重点研究“太赫兹至中远红外”、“深紫外至X射线”两个谱段中的信号产生与探测的核心元器件,在冷阴极材料与器件技术、高频电磁波辐射产生新方法、太赫兹波探测新材料新器件原理等方面做出系统性、创造性贡献。曾任国家纳米重大科学研究计划项目首席科学家,现为国家重点研发计划纳米科技专项项目负责人。获国家自然科学二等奖,获中国青年科技奖。


报告题目:微纳结构的光电响应新效应及功能化研究

议题简介

主要介绍二维原子晶体的太赫兹波与中远红外光极化激元效应及其探测功能应用的研究,包括电磁场精确地裁剪局域到结构中、强束缚电磁场与二维原子晶体元激发的相互作用、二维材料极化激元的功能化等。


第十六届中国电子信息年会将于8月13-16日中国广州黄埔区召开。作为中国电子学会成立60周年系列活动的重要组成部分,本次年会以“电子新时代,强国新征程”为主题,将组织1场主论坛、30+场专题论坛,汇聚国内外50余位院士、300余位国内顶尖学者以及知名企业专家,年会同期还将举行中国电子学会科学技术奖励大会。


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我们诚挚地邀请您出席这一盛会,与在场嘉宾碰撞思想,共享成果。请您尽早与组委会联系确认参会意向。


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