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标准解读|《半导体器件可靠性强化试验方法》

2025-02-21

半导体器件作为现代电子技术的核心,其可靠性直接关系到各类电子设备的稳定运行。然而,当前半导体器件行业面临可靠性不高、使用边界条件模糊等问题,亟需科学规范的强化试验方法促进提升产品质量。在此背景下,中国电子学会联合工业和信息化部电子第五研究所等单位,发布了团体标准《半导体器件可靠性强化试验方法》(T/CIE 144-2022)。该标准于20221231日发布,并于2023131日正式实施,由中国电子学会提出并归口管理。该标准旨在通过系统化的强化试验手段,激发半导体器件的潜在缺陷,为产品的改进提供依据,从而提高半导体器件的可靠性,推动半导体产业的高质量发展。

本标准规定了半导体器件可靠性强化试验的方法,涵盖试验样品要求、仪器设备、试验环境、参数监测以及具体的试验程序、项目和步骤。标准适用于半导体分立器件、集成电路、微波器件等的可靠性强化试验指导。该标准规定了通过逐步增强应力(如温度、振动、快速温变及振动综合应力等)的强化试验方式,有效激发器件中的潜在缺陷,直至器件的破坏极限,为分析故障原因、采取改进措施提供科学依据。

该标准的发布和实施,可为半导体器件的可靠性试验提供了明确、规范的指导,填补了国内在该领域的标准空白。该标准已在中国电子科技集团公司第五十五研究所、第十三研究所等单位推广应用,有效提高了相关产品的可靠性,产生了一定的经济效益。通过强化试验,半导体器件制造商能够更精准地识别产品潜在缺陷,优化设计与工艺,提升产品性能和市场竞争力。同时,该标准也为半导体器件的质量分析和改进提供了统一的方法依据,有助于推动半导体产业整体质量水平的提升,促进产业的可持续发展。


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相关行业从业者、科研工作者如需引用、阅读本标准,请通过中国标准出版社订购本标准。相关企业、检测和评估认证机构如需使用本标准内容,请来函告知中国电子学会,待获得授权及许可后方可使用。欢迎广大企事业单位、高校和科研院所申报中国电子学会团体标准项目。

 

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