标准解读|《磁随机存储器件数据保持时间测试方法》《磁随机存储芯片数据保持时间测试方法》

基于自旋电子器件的磁随机存储器以其非易失性、抗辐照、低功耗和高速读写能力，被视为突破“后摩尔时代”功耗瓶颈的关键技术，在航空航天、国防科技和高端消费电子等领域具有重要应用前景。数据保持时间表征了磁随机存储器件和芯片的可靠性以及稳定存储数据的能力，是决定存储器性能的关键参数。为提高磁随机存储器件和芯片性能及推动产业化，学术界和产业界进行了大量研究以获取恰当的数据保持时间，但目前仍缺乏对磁随机存储器件及芯片的数据保持时间进行测试的标准。

为了对磁随机存储器件和芯片测试提供规范化指导，中国电子学会联合北京航空航天大学等多家单位，发布了团体标准《磁随机存储器件数据保持时间测试方法》《磁随机存储芯片数据保持时间测试方法》(T/CIE 133-2022，T/CIE 134-2022)，两项标准于2022年8月10日正式发布并实施，由中国电子学会提出并归口。

两项标准分别规定了磁随机存储器件和磁随机存储芯片数据保持时间测试的测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等，适用于磁随机存储器件与芯片的数据保持时间测试及验证，为磁随机存储器件和芯片的相关测试提供了科学、规范的方法，确保了测试的准确性和可靠性。

这两项标准的发布，不仅响应了国家对于加强集成电路产业自主创新能力的要求，而且为我国磁存储技术的发展提供了坚实的技术基础。标准的实施将有助于提高磁存储产品测试的可靠性和稳定性，促进磁存储技术的创新和产业化进程，同时也是推动我国磁存储技术领域发展的重要举措，为实现我国磁存储器件自主可控提供重要技术支撑。

相关行业从业者、科研工作者如需引用、阅读本标准，请通过中国标准出版社订购本标准。相关企业、检测和评估认证机构如需使用本标准内容，请来函告知中国电子学会。欢迎广大企事业单位、高校和科研院所申报中国电子学会团体标准项目。