CIE青托风采 | 西电张涛：道阻且长，行则将至

编者按：中国电子学会自2015年起开始组织实施中国科协青年人才托举工程项目，项目重点支持30岁上下潜心研究的青年科技人才，采用以奖代补、稳定支持的方式，对每一位扶持培养的青年科技人才稳定支持三年。中国电子学会官方公众号近日开设“青年人才托举项目被托举人风采”栏目，集中展示优秀被托举人风采，敬请关注！

本期优秀被托举人：张涛

张涛（1993-），西安电子科技大学微电子学院副教授，华山学者菁英人才，首届校研究生导学团队兼职辅导员。长期从事高功率GaN电子器件研究，研制出多款国际领先水平的低开启大功率GaN射频二极管和高效率高压GaN功率二极管，相关研究成果被国际著名行业杂志《Compound Semiconductor》专题报道，并入选国家“十三五”科技创新成就展。经中国电子学会推荐，入选第八届中国科协青年人才托举工程。

科研之旅漫漫，总是充斥着各种令人难忘的“意外”和“惊喜”。对于张涛而言，科研中的每一次小进步都令人难忘。

结缘科研，树立目标

2011年，张涛以高中全校第七名的成绩考入西安电子科技大学，大学的生活让他领略到了一个不一样的时代气息。在本科学业即将结束时，非常幸运地被郝跃院士课题组录取，并跟随张进成教授继续学习，张教授渊博的学识和远见卓识的领导力风格，对张涛的科研与工作产生了深远的影响。

读书期间，张进成教授经常教导张涛，科研要立足于国家重大需求，解决国家重大难题，要具有踏实务实、甘坐冷板凳的精神。也正是在张教授的指导下，他毕业后又完成了学生向老师的身份转变，走上了产教研融合的新道路。学术前沿团队的支持以及导师十年磨一剑精神的影响，都是张涛坚持学习不断前进的重要动力。

立足国需，投身科研

张涛认为，从事学术研究能让自己始终与科技前沿接轨，致力于推动国家科技的发展，即使再微小的贡献，也能带来强烈的成就感。 面向国家对大功率限幅二极管的迫切需求，他率先在国际上采用GaN技术路线，提出多项GaN二极管的新结构和新工艺，解决了GaN肖特基二极管长期存在的开启电压高、截止电容大等瓶颈问题，并完成了该器件的工程化产品研发和应用。

面向数据中心、新能源汽车等对高效率高压功率二极管的迫切需求，他再次紧密围绕相关科学技术难题，通过对器件制备工艺的深度优化，解决了GaN功率二极管反向漏电大、易受表面态影响等难题，各项指标达到国际领先水平。

 “专注做自己的东西，丰富见识的同时目不斜视。”张涛深知，高功率GaN电子器件的研究与产业化之路还很长，为此，他一刻也不敢放松。

行而不辍，未来可期

令人欣慰的是，张涛的很多科研成果已经实现了生产力转化，他提出的多项GaN肖特基二极管的新结构及新工艺，已经成为实现高性能GaN射频二极管及功率二极管的核心技术，在国际首款XTF245型GaN SBD芯片的研制中发挥了关键作用。研制的新型GaN二极管实现了批量应用，累计出货量达10万只，应用在多项国家重大工程中，产生了显著的社会效益。

科研之路道阻且长，张涛用实际行动印证了毛主席的那句老话：“世上无难事，只要肯登攀。”他常说，小挫折对于科研工作能够发挥一种调动情绪的激励作用，只要动起来去做，就能看到无限潜力。在科研这条道路上，他将继续行而不辍，勇往直前。

通过中国科协青年人才托举工程项目，中国电子学会累计遴选培养125名青年科技人才，同时形成了由200余名院士和知名专家组成的导师队伍。入选的青托人才成长迅速，截止到2022年底，前七届91位青托中，已入选优青等国家级人才计划30人次，省部级人才计划43人次，其他人才计划22人次。托举期间主持或参与国家级科研项目339项，省部级和其他横向科研项目397项。获得国家级奖励5人次，其中2人获得国家技术发明奖、3人获得国家科技进步奖，获得省部级奖励36人次，获得社会及全国学会奖励24人次，获得其他奖项18人次。