《半导体热学性能的时域热反射测试方法》 由中国电子学会提出并归口。
主要起草单位：北京大学、清华大学深圳国际研究生院、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、工业和信息化部电子第五研究所。
随着硅基半导体越发接近物理极限，半导体材料和工艺的快速发展推动第三代半导体的兴起。以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体光电和电子器件于2010年开始走向成熟，其应用场景不断扩展，在固态照明、新型显示、生物医疗、能源管理、消费电子、国防雷达、射频通讯及先进制造等领域实现了一系列革新应用。时域热反射法（time-domain thermoreflectance, TDTR）是一种光学泵浦探测技术，目前已发展成为一种可靠且功能强大的测量工具。本标准规定了用时域热反射法对半导体材料进行热物性测量的方法。本标准适用于半导体块体、薄膜材料热导率以及界面热阻的测量。
